IPD031N03LGATMA1 vs BSC0501NSIATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IPD031N03LGATMA1 제조: Infineon 및 BSC0501NSIATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IPD031N03LGATMA1 BSC0501NSIATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.41 $0.65
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS 3 Trench-gate OptiMOS 5
Drain-to-Source Voltage (Vdss) 30 V —
Continuous Drain Current (Id) @ 25 °C 90 A (Tc) —
Power Dissipation (Pd) 94 W (Tc) —
RDS(on) Max @ VGS=10V 3.1 mΩ —
RDS(on) Max @ VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) @ 4.5V] —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical/max] —
Drive Voltage (Max RDS(on), Min RDS(on)) 4.5 V, 10 V —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical @ 10V Vgs] —
Output Charge (Qoss) Ultra low (per datasheet tagline) —
동작 온도 -55 °C to +175 °C (junction) —
패키지 PG-TO252-3-11 (DPAK-2) PG-TDSON-8-6 (SuperSO8)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Mounting Tab Drain (electrically connected) —
Avalanche Energy Rated Yes (per OptiMOS 3 datasheet family) —
RoHS 상태 Compliant Compliant
MSL 레벨 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
Manufacturer — Infineon
Product Family — OptiMOS 5 25V/30V
트랜지스터 유형 — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 29 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
Power Dissipation at Ta (PD) — 2.5 W
Power Dissipation at Tc (PD) — 50 W
Gate-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
On-Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max at 10V VGS]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
동작 접합 온도 — -55C to +150C
Avalanche Rated — Yes

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