IPD30N06S2L13ATMA4 vs IPD30N10S3L34ATMA2 비교

다음의 상세 나란히 비교: IPD30N06S2L13ATMA4 제조: Infineon 및 IPD30N10S3L34ATMA2 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
IPD30N10S3L34ATMA2 IPD30N10S3L34ATMA2 - 100V 30A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD30N10S3L34ATMA2 - 100V 30A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD30N10S3L34ATMA2 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IPD30N06S2L13ATMA4 IPD30N10S3L34ATMA2
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.48 $0.92
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS —
Channel Type N-Channel —
Mode Enhancement —
Drain-Source Voltage (Vds) 55 V —
Continuous Drain Current (Id) 30 A (Tc) —
Power Dissipation (Pd) 136 W (Tc) —
패키지 PG-TO252-3-11 (DPAK) —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
동작 온도 -55 °C to +175 °C (Tj) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260 °C peak reflow) —
Lead-Free / RoHS Yes (Green Package) —
Avalanche Tested 100 % production-tested —
Technology Planar (OptiMOS) OptiMOS-T (trench)
On-State Resistance (Rds(on)) [DATA_NEEDED: exact typ/max Rds(on) at Vgs=10V and at Vgs=4.5V] —
Gate-Source Threshold (Vgs(th)) Logic-level (typ [DATA_NEEDED: Vth typ/min/max]) —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg @ Vgs=10V, Id=30A] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss typ at Vds=25V] —
Diode Reverse Recovery (trr) [DATA_NEEDED: trr typ] —
핀 수 3 (Drain tab + Gate + Source) —
Tape and Reel Packaging Yes (T&R per IEC 60286-3) —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) — 100 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc) — 30 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — 180 A
Power Dissipation (P_D, Tc) — 57 W
R_DS(on) max at V_GS=10V — 31 mOhm (typ)
Gate Threshold Voltage V_GS(th) max — 2.4 V
Total Gate Charge (Qg) max — 31 nC
동작 접합 온도 — -55 C to +175 C
Package / Supplier Device Package — PG-TO252-3-11 (DPAK)
Pin / Tab Count — 3 (2 + Tab)
MSL 레벨 — [DATA_NEEDED: MSL level]
RoHS 상태 — Compliant

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