IPD50P04P4L11ATMA2 vs IRFR5305TRLPBF 비교

다음의 상세 나란히 비교: IPD50P04P4L11ATMA2 제조: Infineon 및 IRFR5305TRLPBF 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
IPD50P04P4L11ATMA2 IPD50P04P4L11ATMA2 - P-Ch 40V 50A 10.6mΩ MOSFET | Infineon

IPD50P04P4L11ATMA2 - P-Ch 40V 50A 10.6mΩ MOSFET | Infineon

IPD50P04P4L11ATMA2 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IPD50P04P4L11ATMA2 IRFR5305TRLPBF
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.82 $0.38
트랜지스터 유형 P-Channel MOSFET, enhancement mode —
Drain-Source Voltage VDS -40 V —
Continuous Drain Current ID (TC = 25 °C) -50 A —
On-State Resistance RDS(on) (VGS = -10 V) 10.6 mΩ typical —
Gate-Source Voltage VGS (max) ±20 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) -1.0 V to -2.5 V typical —
Typical Gate Charge Qg 45 nC —
Power Dissipation PD (TC = 25 °C) 58 W —
동작 접합 온도 -55 °C to +175 °C -55C to +175C
패키지 PG-TO252-3-313 (DPAK), surface mount TO-252AA (DPAK), surface mount
핀 수 3 (Drain / Tab / Source / Gate) —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
RoHS Compliance Compliant —
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Polarity / Channel Type — P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — -55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — -31 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
RDS(on) max at VGS=-10V — 65 mΩ
RDS(on) max at VGS=-5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-5V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) range]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 110 W
Technology — HEXFET fifth-generation planar MOSFET
Avalanche Rated — Yes (fully avalanche rated)
Lead-Free / RoHS — Yes (Pb-free, suffix "PBF")
Tape & Reel Orientation — Left orientation (TRLPBF = Tape & Reel, Left)

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