IPD60R210PFD7SAUMA1 vs IPL60R060CFD7AUMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: IPD60R210PFD7SAUMA1 제조: Infineon 및 IPL60R060CFD7AUMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IPD60R210PFD7SAUMA1 | IPL60R060CFD7AUMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.54 | $4.03 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | CoolMOS PFD7 | — |
| Technology | Superjunction (CoolMOS) N-Channel Power MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 16 A | — |
| On-Resistance (RDS(on), max) | 210 mOhm | — |
| Power Dissipation (Ptot, Tc=25C) | 64 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) | 3.5 V | — |
| Gate Charge (Qg, typ) | [DATA_NEEDED: Qg value] | — |
| Package Type | TO-252 (DPAK) | — |
| Manufacturer Package Designator | PG-TO252-3-344 | — |
| 실장 유형 | Surface Mount (SMT) | Surface Mount |
| Pin Configuration | 3-Pin (2+Tab) - Gate, Drain (tab), Source | — |
| 동작 온도 범위 | -55C to +150C (TJ) | -40 °C to +150 °C |
| Lead-Free / RoHS | Yes (compliant) | — |
| Application Segment | Consumer-grade SMPS | — |
| Series | — | CoolMOS™ CFD7 |
| 트랜지스터 유형 | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 600 V |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | — | 40 A |
| Power Dissipation (P_D, Tc) | — | 219 W |
| R_DS(on) (max) at V_GS = 10 V | — | 60 mΩ |
| R_DS(on) (typ, datasheet) | — | 48 mΩ |
| Gate Charge (Q_G, typ) at V_GS = 10 V | — | 79 nC |
| Input Capacitance (C_iss) | — | 3193 pF |
| Output Capacitance (C_oss) | — | 62 pF |
| Gate-Source Voltage (V_GS) | — | ±20 V (max) |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th), typ) | — | 4.5 V |
| 패키지 | — | PG-VSON-4-1 (Surface Mount) |
| MSL 레벨 | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |
| RoHS 상태 | — | Compliant |