IPD60R600P7ATMA1 vs IPD60R210PFD7SAUMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IPD60R600P7ATMA1 제조: Infineon 및 IPD60R210PFD7SAUMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
IPD60R600P7ATMA1 IPD60R600P7ATMA1 - 600V 6A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD60R600P7ATMA1 - 600V 6A CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPD60R600P7ATMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IPD60R600P7ATMA1 IPD60R210PFD7SAUMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.71 $0.54
Part Number IPD60R600P7ATMA1 —
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS P7 —
트랜지스터 유형 N-Channel MOSFET —
Technology Superjunction (SJ) / CoolMOS Superjunction (CoolMOS) N-Channel Power MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 600 V
Continuous Drain Current (ID, TC) 6 A —
On-Resistance (RDS(on)) 490 mOhm (max) —
Power Dissipation (PD, TC) 30 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] —
동작 온도 범위 -55C to +150C (TJ) -55C to +150C (TJ)
패키지 / 케이스 PG-TO252-3 (DPAK), surface mount —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount (SMT)
MSL 레벨 1 (per JEDEC J-STD-020) —
RoHS 상태 Compliant —
Generation CoolMOS 7th generation (P7, successor to P6) —
Ordering Code Suffix ATMA1 = Tape & Reel, 13-inch —
Product Family — CoolMOS PFD7
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 16 A
On-Resistance (RDS(on), max) — 210 mOhm
Power Dissipation (Ptot, Tc=25C) — 64 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) — 3.5 V
Gate Charge (Qg, typ) — [DATA_NEEDED: Qg value]
Package Type — TO-252 (DPAK)
Manufacturer Package Designator — PG-TO252-3-344
Pin Configuration — 3-Pin (2+Tab) - Gate, Drain (tab), Source
Lead-Free / RoHS — Yes (compliant)
Application Segment — Consumer-grade SMPS

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