IPD78CN10NGATMA1 vs IPD031N03LGATMA1 비교

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Infineon
IPD78CN10NGATMA1 IPD78CN10NGATMA1 - 100V 13A OptiMOS N-Ch MOSFET | Infineon

IPD78CN10NGATMA1 - 100V 13A OptiMOS N-Ch MOSFET | Infineon

IPD78CN10NGATMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IPD78CN10NGATMA1 IPD031N03LGATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.78 $0.41
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS 2 —
트랜지스터 유형 N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 13 A —
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V 78 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) Typ [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge Qg Typ [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation (PD) Max at Tc=25C 31 W —
Operating Junction Temperature Max 175 C —
패키지 / 케이스 PG-TO252-3 (DPAK) —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
핀 수 3 (Gate, Drain, Source) + Tab —
Lead Plating Pb-free (Matte Tin) —
RoHS Compliance Compliant —
JEDEC Qualification Qualified per JEDEC1 for target application —
Technology OptiMOS 2 Power-Transistor MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS 3
MSL 레벨 1 (per JEDEC J-STD-020) 1
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 30 V
Continuous Drain Current (Id) @ 25 °C — 90 A (Tc)
Power Dissipation (Pd) — 94 W (Tc)
RDS(on) Max @ VGS=10V — 3.1 mΩ
RDS(on) Max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) @ 4.5V]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical/max]
Drive Voltage (Max RDS(on), Min RDS(on)) — 4.5 V, 10 V
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical @ 10V Vgs]
Output Charge (Qoss) — Ultra low (per datasheet tagline)
동작 온도 — -55 °C to +175 °C (junction)
패키지 — PG-TO252-3-11 (DPAK-2)
Mounting Tab — Drain (electrically connected)
Avalanche Energy Rated — Yes (per OptiMOS 3 datasheet family)
RoHS 상태 — Compliant

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