IPG20N04S4L08AATMA1 vs IPG20N04S4L08ATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IPG20N04S4L08AATMA1 제조: Infineon 및 IPG20N04S4L08ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

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IPG20N04S4L08AATMA1 IPG20N04S4L08AATMA1 - Dual N-Ch 40V 8.2mΩ MOSFET | Infineon

IPG20N04S4L08AATMA1 - Dual N-Ch 40V 8.2mΩ MOSFET | Infineon

IPG20N04S4L08AATMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IPG20N04S4L08AATMA1 IPG20N04S4L08ATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.66 $0.89
FET Type Dual N-Channel 2 N-Channel (Dual)
Technology OptiMOS-T2 (Logic Level) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) @ TC=25°C 20 A (per channel) —
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max @ VGS=10V 8.2 mΩ —
Gate Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> typ 1.7 V —
Gate Drive (Logic Level) 4.5 V —
Power Dissipation (PD) @ TC=25°C 54 W —
동작 접합 온도 -55°C to +175°C —
패키지 PG-TDSON-8-10 (Wettable Flank) —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
AEC-Q101 Qualification Yes —
Peak Reflow Temperature 260°C —
Avalanche Rated Yes (100% tested) —
RoHS / REACH Compliant (Green Product) —
AOI Compatible Yes (Wettable Flank) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IPG20N04S4L08ATMA1
FET Feature — Logic Level Gate
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 40 V
Continuous Drain Current (Id) @ 25°C — 20 A
On-Resistance Rds(on) max @ Vgs=10V, Id=17A — 8.2 mΩ
Power Dissipation (Pd) — 54 W
동작 온도 — -55°C to +175°C
패키지 / 케이스 — PG-TDSON-8-4 (TDSON-8)
Series — OptiMOS™-T2, Automotive, AEC-Q101
MSL 레벨 — MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260°C peak reflow)
Avalanche Tested — 100% Avalanche Tested
RoHS / Green — RoHS Compliant, Green Product
Part Status — Active

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