IPN60R360P7SATMA1 vs IPD65R380E6ATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IPN60R360P7SATMA1 제조: Infineon 및 IPD65R380E6ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
IPN60R360P7SATMA1 IPN60R360P7SATMA1 - 600V 360mΩ CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPN60R360P7SATMA1 - 600V 360mΩ CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPN60R360P7SATMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IPN60R360P7SATMA1 IPD65R380E6ATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.37 $0.65
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series CoolMOS P7 CoolMOS™ E6
Technology Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET Superjunction (CoolMOS™)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
On-Resistance RDS(on) max 360 mΩ —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 9 A —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C [DATA_NEEDED: ID at TA=25°C with standard PCB] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 7 W —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V (max) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Total Gate Charge (QG) [DATA_NEEDED: QG typical at VGS=10V] —
동작 온도 범위 -55°C to +150°C (TJ) -55 °C to +150 °C
패키지 PG-SOT223 (Surface Mount) PG-TO252-3 (DPAK), surface mount
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
ESD Protection Yes (integrated cell) —
할로겐 프리 Yes (per Infineon datasheet) —
RoHS Compliance Compliant —
핀 수 3 functional + tab (PG-SOT223) —
Body Diode Integrated, fast-recovery —
트랜지스터 유형 — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DS) — 650 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_C — 10.6 A
R_DS(on) max at V_GS=10V — 380 mΩ
R_DS(on) test conditions — 3.2 A, 10 V
Gate-Source Voltage (V_GS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — 3.5 V typ
Gate Charge (Q_G) — 39 nC at 10 V
Input Capacitance (C_iss) — 710 pF at 100 V
Power Dissipation (P_D) at T_C — 83 W
RoHS 상태 — Compliant
MSL 레벨 — 1

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