IPP045N10N3GXKSA1 vs IPP075N15N3GXKSA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IPP045N10N3GXKSA1 제조: Infineon 및 IPP075N15N3GXKSA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IPP045N10N3GXKSA1 IPP075N15N3GXKSA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $2.20 $1.92
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IPP045N10N3GXKSA1 —
Technology OptiMOS 3 N-Channel MOSFET (OptiMOS 3)
트랜지스터 유형 N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 100 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) at T<sub>C</sub>=25°C 100 A —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) at T<sub>C</sub>=100°C [DATA_NEEDED: I_D at TC=100C] —
Pulsed Drain Current (I<sub>D,pulse</sub>) 137 A —
On-Resistance R<sub>DS(on)</sub> max at V<sub>GS</sub>=10V 4.5 mΩ —
Gate Threshold Voltage V<sub>GS(th)</sub> 3.5 V (typical, per LCSC listing) —
Power Dissipation P<sub>D</sub> at T<sub>C</sub>=25°C 214 W —
패키지 TO-220-3 (PG-TO220-3) through-hole PG-TO220-3 (TO-220 through-hole)
동작 온도 범위 -55 °C to +175 °C (junction, typical MOSFET limit) [DATA_NEEDED: junction operating temperature range]
실장 유형 Through Hole Through Hole
RoHS 상태 Compliant (per LCSC datasheet excerpt) —
Lead-Free Yes (Infineon G/GX part suffix) —
MSL 레벨 N/A (through-hole package) —
Product Family — OptiMOS 3
Drain-Source Voltage (VDS) — 150 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) — 100 A
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 300 W
On-State Resistance (RDS(on) max, VGS=10V) — 7.5 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: gate-source voltage absolute max]
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Lead-Free / RoHS — RoHS Compliant
Ordering Code Suffix — GXKSA1 (Tube pack, RoHS compliant)

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