IQE008N03LM5SCATMA1 vs IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: IQE008N03LM5SCATMA1 제조: Infineon 및 IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IQE008N03LM5SCATMA1 | IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $1.18 | $1.78 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 5 | OptiMOS 7 Power-Transistor |
| Technology | Trench MOSFET (N-Channel) | Silicon N-Channel Power MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 252 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) max | 0.85 mΩ at VGS = 10 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2 V (typical) | — |
| Gate Drive Voltage | 10 V (recommended) | — |
| 패키지 | PG-WHSON-8 (Source-Down) | PG-WHTFN-9-1 (surface mount) |
| Configuration | Single N-Channel | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Cooling Architecture | Source-Down, dual-side cooling | — |
| 동작 온도 범위 | -55 °C to +150 °C | — |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| RoHS 상태 | Compliant | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg total] | — |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: Ciss] | — |
| 트랜지스터 유형 | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 25 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | — | 54 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 422 A |
| RDS(on) Max | — | 0.5 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | — | 2 V |
| Power Dissipation (PD) at TA | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 150 W |
| Maximum Junction Temperature | — | 175 °C |
| Series | — | OptiMOS 7 |