IQE020N04LM6CGSCATMA1 vs IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 비교
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Infineon
IQE020N04LM6CGSCATMA1 - 40V OptiMOS 6 2.0mΩ N-MOSFET, PG-WHTFN-9
IQE020N04LM6CGSCATMA1 ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | IQE020N04LM6CGSCATMA1 | IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $1.65 | $1.78 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | OptiMOS 6 low-voltage power MOSFET | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current at TA=25°C | 25 A | — |
| Continuous Drain Current at TC=25°C | 166 A | — |
| Maximum RDS(on) | 2.0 mΩ (per IQE part-number decode) | — |
| Power Dissipation at TA=25°C | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at TC=25°C | 107 W | — |
| 패키지 | PG-WHTFN-9-1 (PQFN 3.3 x 3.3 mm Source-Down dual-side cooled) | PG-WHTFN-9-1 (surface mount) |
| 핀 수 | 9 | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 범위 | -55 °C to +150 °C (junction, per Infineon MOSFET convention) | — |
| RoHS 상태 | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| MSL 레벨 | 1 (per JEDEC J-STD-020 for similar PQFN MOSFETs) | — |
| Technology | OptiMOS 6 trench | Silicon N-Channel Power MOSFET |
| Product Family | — | OptiMOS 7 Power-Transistor |
| 트랜지스터 유형 | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 25 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | — | 54 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 422 A |
| RDS(on) Max | — | 0.5 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | — | 2 V |
| Power Dissipation (PD) at TA | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 150 W |
| Maximum Junction Temperature | — | 175 °C |
| Series | — | OptiMOS 7 |