IQE031N08LM6CGSCATMA1 vs ISC151N08NM6ATMA1 비교
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Infineon
IQE031N08LM6CGSCATMA1 - 80V OptiMOS 6 N-Ch MOSFET 127A | Infineon
IQE031N08LM6CGSCATMA1 ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | IQE031N08LM6CGSCATMA1 | ISC151N08NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.74 | $0.78 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 6 (40 V to 100 V) | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS max) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | 18 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 127 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta=25C | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 125 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| On-State Resistance RDS(on) max | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10 V] | — |
| Gate Drive Level | Logic-level | — |
| 패키지 | PG-WHTFN-9 (PQFN 3.3x3.3 Source-Down Center-Gate) | PG-TDSON-8 FL |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 범위 | -55 C to +175 C (junction, typical for OptiMOS 6) | — |
| Avalanche Tested | 100% avalanche tested | — |
| MSL 레벨 | 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for Infineon PQFN) | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| 트랜지스터 유형 | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (TA=25°C) | — | 9.2 A |
| 연속 드레인 전류 (TC=25°C) | — | 37 A |
| Power Dissipation (TA) | — | 3 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 48 W |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 15.1 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 3.5 V |
| Technology | — | OptiMOS 6 |
| 핀 수 | — | 8 |
| Channel Mode | — | Enhancement |
| 동작 온도 | — | -55 °C to +175 °C |