IR2109SPBF vs IR2109STRPBF 비교

다음의 상세 나란히 비교: IR2109SPBF 제조: Infineon 및 IR2109STRPBF 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IR2109SPBF IR2109STRPBF
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $1.05 $0.61
Driver Configuration Half-Bridge —
Number of Drivers 2 (high-side + low-side) —
High-Side Voltage Tolerance 600 V —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V 10 V to 20 V
Source Current (typical) 0.2 A —
Sink Current (typical) 0.35 A —
Turn-On Propagation Delay 150 ns —
Turn-Off Propagation Delay 150 ns —
상승 시간 200 ns —
하강 시간 50 ns —
Quiescent VCC Current 1 mA —
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V CMOS / TTL —
Undervoltage Lockout Yes (VCC) —
Bootstrap Diode Integrated Integrated
동작 접합 온도 -40 C to +150 C —
패키지 SOIC-8 8-SOIC (3.90 mm Width)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
RoHS 상태 Compliant Compliant
Product Type — Half-Bridge Gate Driver IC
Configuration — Half-Bridge (High-Side + Low-Side)
출력 수 — 2 (High-Side / Low-Side)
High-Side Offset Voltage (Max) — 600 V
Peak Source Output Current — 0.2 A (typ)
Peak Sink Output Current — 0.35 A (typ)
Propagation Delay (typ) — 750 ns
Rise/Fall Time (typ) — [DATA_NEEDED: rise/fall time]
ton / toff (typ) — 540 ns
Input Logic — Non-Inverting
UVLO — Yes (VCC and VBS)
Dead Time Control — Built-in
dV/dt Immunity — Yes
Negative VS Transient Tolerance — Yes
동작 온도 — -40 C to +125 C

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