IRF4905STRRPBF vs IRFR5305TRPBF 비교
다음의 상세 나란히 비교: IRF4905STRRPBF 제조: Infineon 및 IRFR5305TRPBF 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IRF4905STRRPBF | IRFR5305TRPBF |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.94 | $0.32 |
| Polarity | P-Channel | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | -74 A | 31 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100C | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| RDS(on) max at VGS=-10V | 20 mOhm | — |
| RDS(on) max at VGS=-4.5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-4.5V] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | -2.0 V to -4.0 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 120 nC | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 170 W | 110 W |
| 동작 접합 온도 | -55 C to +175 C | — |
| 패키지 | D2PAK (TO-263-3) | TO-252AA (DPAK) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET (Advanced Process) | HEXFET (IR MOSFET) |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant (Pb-free PBF suffix) |
| Lead-Free | Yes | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | -55 V |
| On-Resistance (RDS(on)) Max at VGS=-10V | — | 65 mOhm |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | -2 V to -4 V |
| Gate Charge (Qg) Typ | — | [DATA_NEEDED: Qg typ] |
| Single-Pulse Avalanche Energy (EAS) | — | 270 mJ |
| 동작 온도 범위 | — | -55 C to +175 C |
| MSL 레벨 | — | 1 |
| Lead-Free Finish | — | Yes (PBF suffix) |