IRFH7084TRPBF vs SM4036NHKP 비교

다음의 상세 나란히 비교: IRFH7084TRPBF 제조: Infineon 및 SM4036NHKP 제조: Sinopower Semiconductor. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Sinopower Semiconductor
SM4036NHKP SM4036NHKP - 40V 80A N-Channel MOSFET, PDFN-8 | Sinopower

SM4036NHKP - 40V 80A N-Channel MOSFET, PDFN-8 | Sinopower

SM4036NHKP ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IRFH7084TRPBF SM4036NHKP
브랜드 Infineon Sinopower Semiconductor
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.45 $0.19
FET Type N-Channel —
Technology StrongIRFET™ (trench MOSFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C, package-limited) 100 A —
Silicon-Limited Drain Current 265 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 156 W —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 1.25 mΩ —
On-Resistance RDS(on) typ @ VGS=10V 0.95 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 1.7 V to 2.7 V —
Input Capacitance (Ciss) max @ 25V 6560 pF —
동작 온도 범위 -55°C to +175°C (TJ) [DATA_NEEDED: junction temperature range]
패키지 8-PQFN 5x6 mm (SuperSO8) PDFN-8 (DFN5x6) 5x6 mm
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
MSL 레벨 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
RoHS 상태 Compliant Compliant (per Sinopower product page)
할로겐 프리 Compliant —
RthJC max 0.96 °C/W (per datasheet) —
트랜지스터 유형 — N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Continuous Drain Current (ID) — 80 A
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
RDS(on) at VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) in mOhm]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Marking Code — 4036NH
Power Dissipation (PD) — [DATA_NEEDED: PD max]
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) — [DATA_NEEDED: RthJC]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: Coss]
Reverse Recovery Charge (Qrr) — [DATA_NEEDED: Qrr]
Avalanche Rating — Yes (per datasheet)
Lead-Free — Yes

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