IRFH8318TRPBF vs IRFH8201TRPBF 비교
다음의 상세 나란히 비교: IRFH8318TRPBF 제조: Infineon 및 IRFH8201TRPBF 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IRFH8318TRPBF | IRFH8201TRPBF |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.48 | $1.05 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | IRFH8318TRPBF | — |
| Technology | StrongIRFET™ (N-Channel Trench MOSFET) | StrongIRFET (trench MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 25 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C | 27 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | 120 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 3.1 mΩ | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 41 nC | 56 nC at VGS=10V |
| Power Dissipation (Ta) | 3.6 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 59 W | — |
| 패키지 | PQFN 5x6 (SuperSO8, 8-PowerTDFN) | SuperSO8 5x6 (PQFN-8) with exposed pad |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 | -55°C to +150°C | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| MSL 레벨 | 1 | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Description | Synchronous MOSFET for high-frequency buck converters | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 49 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 100 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 324 A |
| RDS(on) max at VGS=10V | — | 0.95 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 1.35 V max |
| Output Capacitance (Coss) | — | 7.33 nF |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | — | 850 pF |
| Power Dissipation (TA) | — | 3.6 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 156 W |
| 동작 온도 범위 | — | -55C to +150C |