IRFZ44NPBF vs IPD135N03LGATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IRFZ44NPBF 제조: Infineon 및 IPD135N03LGATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
IPD135N03LGATMA1 IPD135N03LGATMA1 - 30V 30A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD135N03LGATMA1 - 30V 30A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD135N03LGATMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IRFZ44NPBF IPD135N03LGATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.65 $0.22
FET Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 49 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-to-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V 17.5 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 42 nC —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 94 W —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) 1.0 C/W —
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthJA) 62 C/W —
동작 접합 온도 -55C to +175C —
패키지 TO-220AB (3-pin + tab) —
실장 유형 Through Hole Surface Mount
Technology HEXFET (Advanced Process) —
Avalanche Energy Rating (EAS) [DATA_NEEDED: EAS rating] —
RoHS 상태 Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS™
트랜지스터 유형 — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) — 30 A (Tc)
Power Dissipation (PD) — 31 W (Tc)
패키지 / 케이스 — PG-TO252-3 (DPAK), Surface Mount
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS]
Gate Charge (Qg) — Ultra-low (per OptiMOS™ family spec)
Output Charge (Qoss) — Ultra-low (per OptiMOS™ family spec)
동작 온도 범위 — -55°C to +175°C (TJ max typical for OptiMOS)
MSL 레벨 — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Lead-Free Finish — Yes
Qualification — Industrial (Infineon OptiMOS™ standard grade)

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