ISC015N04NM5ATMA1 vs BSC014N04LSIATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: ISC015N04NM5ATMA1 제조: Infineon 및 BSC014N04LSIATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | ISC015N04NM5ATMA1 | BSC014N04LSIATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.98 | $0.39 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 5 40V Normal Level | — |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | OptiMOS 5 (trench MOSFET) | OptiMOS 5 (trench, thin-wafer) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 40 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.4 V (typ) | — |
| R_DS(on) max | 1.5 mOhm @ VGS=10 V, ID=50 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | 33 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 206 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating] | [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating] |
| Power Dissipation (Ta) | 3 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 115 W | — |
| 동작 온도 범위 | -55 C to +175 C (junction, per OptiMOS 5) | -55 C to +150 C |
| 패키지 / 케이스 | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm) | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 핀 수 | 8 | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| MSL 레벨 | 1 (per Infineon SuperSO8 family) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Drive Level | Normal Level (VGS(th) ~3.4 V) | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 100 A |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 31 A |
| RDS(on) max at VGS=10 V | — | 1.4 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Power Dissipation (PD, Tc) | — | 96 W |
| Power Dissipation (PD, Ta) | — | 2.5 W |
| 패키지 | — | PG-TDSON-8 FL (TDSON-8 with exposed drain pad) |
| Tradename | — | OptiMOS |