ISC045N03L5SATMA1 vs IGLR70R270D2SXUMA1 비교
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Infineon
IGLR70R270D2SXUMA1 - 700V GaN Transistor, 270mΩ CoolGaN G5 | Infineon
IGLR70R270D2SXUMA1 ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | ISC045N03L5SATMA1 | IGLR70R270D2SXUMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.51 | $2.13 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | ISC045N03L5SATMA1 | — |
| 트랜지스터 유형 | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | OptiMOS 5 / Trench | Gallium Nitride (GaN) HEMT, enhancement-mode |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 700 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | 18 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | 63 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 4.5 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | 2 V @ ID=250 µA | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 13 nC @ VGS=10 V | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 870 pF @ VDS=15 V | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25°C | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | 30 W | — |
| 패키지 | SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-6) | PG-TSON-8-8 (ThinPAK) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 범위 | -55 °C to +150 °C | -40C to +150C (junction) |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Product Family | — | CoolGaN™ G5 |
| Channel Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 7.3 A |
| Power Dissipation (PD, Tc) | — | 28 W |
| On-State Resistance (RDS(on), typ.) | — | 270 mΩ |
| Gate Drive | — | 0 to 12 V (enhancement-mode, internal gate diode) |
| Wafer Process | — | 200 mm (8-inch) GaN-on-Si |
| Reverse Recovery Charge (Qrr) | — | 0 nC (no body diode) |