ISC046N13NM6ATMA1 vs ISC110N12NM6ATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: ISC046N13NM6ATMA1 제조: Infineon 및 ISC110N12NM6ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | ISC046N13NM6ATMA1 | ISC110N12NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $1.08 | $0.51 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Family | OptiMOS 6 | — |
| 트랜지스터 유형 | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 135 V | 120 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | 17 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 142 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TA | 3 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 211 W | — |
| 패키지 / 케이스 | PG-TDSON-8 | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 범위 | -55 C to +175 C | — |
| Technology | OptiMOS 6 trench MOSFET | — |
| Gate Drive (recommended) | 10 V (typical) | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Packaging | Tape & Reel | — |
| Polarity | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | — | 11 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 62 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 9.8 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | — | 3.1 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 15.4 nC |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 1.1 nF |
| Output Capacitance (Coss) | — | 330 pF |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | — | 10 pF |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | — | 94 W |
| Power Dissipation (Pd) at Ta | — | 3 W |
| Avalanche Energy (EAS) | — | 185 mJ |
| 동작 접합 온도 | — | -55 °C to +175 °C |
| 패키지 | — | SuperSO8 (TDSON-8) |