ISL26315FVZ-T vs ISL26311FBZ 비교
다음의 상세 나란히 비교: ISL26315FVZ-T 제조: Renesas Electronics 및 ISL26311FBZ 제조: Renesas Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | ISL26315FVZ-T | ISL26311FBZ |
|---|---|---|
| 브랜드 | Renesas Electronics | Renesas Electronics |
| 카테고리 | ADC/DAC | ADC/DAC |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $2.85 | $2.30 |
| 분해능 | 12 bits | 12 bit |
| 샘플링 속도 | 125 kSPS | 125 kSPS |
| Number of Single-Ended Input Channels | 4 | — |
| Number of Differential Input Channels | 2 | — |
| Architecture | SAR (Successive Approximation Register) | SAR (Successive Approximation) |
| Analog Supply Voltage | 2.7 V to 5.25 V | — |
| Digital Supply Voltage | 2.7 V to 5.25 V | — |
| INL (Integral Non-Linearity) | [DATA_NEEDED: typical INL value in LSB] | — |
| DNL (Differential Non-Linearity) | [DATA_NEEDED: typical DNL value in LSB] | — |
| Power Consumption at 125 kSPS | 11 mW | — |
| Power Consumption between Conversions (Auto Power-Down) | 8 µA (typical) | — |
| 인터페이스 | SPI / QSPI / MICROWIRE compatible | — |
| 동작 온도 범위 | -40 °C to +125 °C | Industrial, see datasheet |
| ESD Survivability (HBM) | 5 kV | — |
| 패키지 | TSSOP-16 | 8-pin SOIC |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Channel Multiplexer | Yes (internal) | — |
| Auto Power-Down Mode | Yes | — |
| Number of Input Channels | — | 1 (single-ended or differential) |
| Input Type | — | Single-Ended / Differential |
| Data Interface | — | SPI / QSPI / MICROWIRE-compatible serial |
| Reference | — | Internal |
| 공급 전압 | — | Single supply, see datasheet |
| Power Consumption | — | Low power (see datasheet) |
| Manufacturer | — | Renesas Electronics (formerly Intersil) |
| Conversion Latency | — | Deterministic per SAR cycle |