K3KCKC0BM-JGCT vs K3K9K90BM-JGCT 비교
다음의 상세 나란히 비교: K3KCKC0BM-JGCT 제조: Samsung Electronics 및 K3K9K90BM-JGCT 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K3KCKC0BM-JGCT | K3K9K90BM-JGCT |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.00 | $9.20 |
| 메모리 유형 | LPDDR5 SDRAM | LPDDR5 SDRAM |
| Density | 64 Gb | [DATA_NEEDED: Density] |
| 인터페이스 | LPDDR5 (Low Power Double Data Rate 5) | [DATA_NEEDED: Channel configuration] |
| 메모리 구성 | [DATA_NEEDED: organization (x32/x16)] | [DATA_NEEDED: Organization] |
| Package Type | FBGA (fine-pitch ball grid array) | FBGA |
| Ball Count | [DATA_NEEDED: ball count] | — |
| Speed Grade Suffix | JGCT | — |
| Max Pin Speed (family reference K3LKCKC0BM-MGCP) | 6400 Mbps | — |
| Supply Voltage Core (VDD1) | [DATA_NEEDED: VDD1 voltage] | — |
| Supply Voltage I/O (VDD2/VDDQ) | [DATA_NEEDED: VDDQ voltage] | — |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Refresh Mode | Self-refresh with partial array self-refresh (PASR) | — |
| Power Features | DVFSC, deep power-down | — |
| RoHS 상태 | unknown | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| Packaging | [DATA_NEEDED: packing type and standard quantity] | — |
| Manufacturer | — | Samsung Electronics |
| 데이터 속도 | — | [DATA_NEEDED: Data Rate] |
| Supply Voltage (VDD) | — | [DATA_NEEDED: VDD] |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | [DATA_NEEDED: VDDQ] |
| CAS 레이턴시 | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: Refresh scheme] |
| Package Code | — | BM |
| Speed/Temperature Grade Code | — | JGCT |
| MSL 레벨 | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |