K3KL3L30DM-BGCU vs K3KL5L50DM-BGCU 비교
다음의 상세 나란히 비교: K3KL3L30DM-BGCU 제조: Samsung Electronics 및 K3KL5L50DM-BGCU 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K3KL3L30DM-BGCU | K3KL5L50DM-BGCU |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 수명 종료 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $45.94 | $0.00 |
| 메모리 유형 | LPDDR5X DRAM | LPDDR5X SDRAM |
| Density | 64 Gb | 128 Gb (16 GB) |
| 메모리 구성 | x64 | [DATA_NEEDED: organization (x)] |
| 데이터 속도 | 8533 Mbps | 8533 Mbps per pin |
| Supply Voltage (VDD1) | 1.8 V | — |
| Supply Voltage (VDD2) | 1.05 V | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 0.5 V | — |
| Core Voltage Rail | 0.9 V | — |
| 동작 온도 | -25 C to +85 C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| 패키지 | 496-ball FBGA | [DATA_NEEDED: package ball count / FBGA code] |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| 인터페이스 | LPDDR5X (JEDEC low-power DRAM interface) | LPDDR5X (JEDEC low-power DRAM interface) |
| Product Status | EOL | — |
| 브랜드 | Samsung Semiconductor | — |
| Application Segment | Mobile, consumer electronics, embedded systems | — |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS status] | unknown |
| Supply Voltage (VDD) | — | [DATA_NEEDED: VDD voltage] |
| Prefetch | — | 16n (LPDDR5/5X architecture) |
| Power Efficiency | — | approx. 20% better than LPDDR5 (per Samsung LPDDR5X family page) |
| CAS 레이턴시 | — | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: refresh scheme] |
| Production Status | — | In production (in stock at distributors) |
| MSL 레벨 | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |