K3KL5L50DM-BGCU vs K3KLELE0DM-BGCU 비교
다음의 상세 나란히 비교: K3KL5L50DM-BGCU 제조: Samsung Electronics 및 K3KLELE0DM-BGCU 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K3KL5L50DM-BGCU | K3KLELE0DM-BGCU |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 수명 종료 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.00 | $0.00 |
| 메모리 유형 | LPDDR5X SDRAM | LPDDR5X SDRAM |
| Density | 128 Gb (16 GB) | 144 Gb |
| 데이터 속도 | 8533 Mbps per pin | 8533 Mbps |
| 메모리 구성 | [DATA_NEEDED: organization (x)] | x64 |
| Supply Voltage (VDD) | [DATA_NEEDED: VDD voltage] | — |
| 패키지 | [DATA_NEEDED: package ball count / FBGA code] | 496-ball FBGA |
| 실장 유형 | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -25 C to +85 C |
| 인터페이스 | LPDDR5X (JEDEC low-power DRAM interface) | LPDDR5X |
| Prefetch | 16n (LPDDR5/5X architecture) | — |
| Power Efficiency | approx. 20% better than LPDDR5 (per Samsung LPDDR5X family page) | — |
| CAS 레이턴시 | [DATA_NEEDED: CAS latency] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh scheme] | — |
| RoHS 상태 | unknown | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Production Status | In production (in stock at distributors) | — |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Supply Voltage (VDD1) | — | 1.8 V |
| Supply Voltage (VDD2) | — | 1.05 V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 0.9 V |
| Supply Voltage (VDDCA) | — | 0.5 V |
| Application Class | — | AI and in-vehicle devices |
| Product Status | — | EOL |
| Power Efficiency vs Previous Generation | — | Approx. 25% better (per Samsung) |
| Speed vs Previous Generation | — | Approx. 1.25x faster (per Samsung) |