K3KL8L80CM-MGCT vs K3LK8L80CM-MGCT 비교
다음의 상세 나란히 비교: K3KL8L80CM-MGCT 제조: Samsung Electronics 및 K3LK8L80CM-MGCT 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K3KL8L80CM-MGCT | K3LK8L80CM-MGCT |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | DRAM | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.00 | $0.00 |
| 메모리 유형 | LPDDR5X SDRAM | LPDDR5X SDRAM |
| Density | 32 Gbit (4 GB) | 32 Gbit (4 GB) |
| 메모리 구성 | x32 | x32 |
| Max Data Rate | 7500 Mbps | 7500 Mbps |
| Clock Frequency | 3750 MHz | — |
| Core Supply Voltage (VDD) | 1.05 V | — |
| I/O Supply Voltage (VDDQ) | 900 mV (500 mV low-power mode) | — |
| VDD2 Supply Voltage | 1.8 V | — |
| 패키지 | 315-ball FBGA | FBGA-315 (315-ball) |
| 동작 온도 | -25C to +85C | -25C to +85C |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| 인터페이스 | LPDDR5X (JEDEC LPDDR5 extension) | LPDDR5X (JEDEC low-power DDR) |
| Application Segment | Mobile, Automotive, On-device AI, PC | — |
| Power Efficiency | ~20-25% improvement vs LPDDR5 (per Samsung) | ~25% improvement vs LPDDR5 |
| RoHS 상태 | Compliant (per JLCPCB listing) | Compliant (per JLCPCB listing) |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: MSL Level] | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Supply Voltages | — | 0.5 V, 900 mV, 1.05 V, 1.8 V (multi-rail) |
| Application Class | — | Mobile, PC, automotive, on-device AI |
| Speed Grade Suffix | — | CM-MGCT |
| Package Family | — | FBGA -> BGA -> surface mount |
| Typical End Products | — | Smartphones, tablets, edge AI devices |
| Refresh / Standby Modes | — | Self-refresh, deep power-down (per LPDDR5X protocol) |