K3KLELE0DM-BGCU vs K3KL3L30DM-BGCU 비교
다음의 상세 나란히 비교: K3KLELE0DM-BGCU 제조: Samsung Electronics 및 K3KL3L30DM-BGCU 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K3KLELE0DM-BGCU | K3KL3L30DM-BGCU |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 수명 종료 | 수명 종료 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.00 | $45.94 |
| Density | 144 Gb | 64 Gb |
| 메모리 유형 | LPDDR5X SDRAM | LPDDR5X DRAM |
| 메모리 구성 | x64 | x64 |
| 데이터 속도 | 8533 Mbps | 8533 Mbps |
| Supply Voltage (VDD1) | 1.8 V | 1.8 V |
| Supply Voltage (VDD2) | 1.05 V | 1.05 V |
| Supply Voltage (VDDQ) | 0.9 V | 0.5 V |
| Supply Voltage (VDDCA) | 0.5 V | — |
| 패키지 | 496-ball FBGA | 496-ball FBGA |
| 동작 온도 | -25 C to +85 C | -25 C to +85 C |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Application Class | AI and in-vehicle devices | — |
| Product Status | EOL | EOL |
| 인터페이스 | LPDDR5X | LPDDR5X (JEDEC low-power DRAM interface) |
| Power Efficiency vs Previous Generation | Approx. 25% better (per Samsung) | — |
| Speed vs Previous Generation | Approx. 1.25x faster (per Samsung) | — |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Core Voltage Rail | — | 0.9 V |
| 브랜드 | — | Samsung Semiconductor |
| Application Segment | — | Mobile, consumer electronics, embedded systems |