K3KLELE0DM-BGCU vs K3KL9L90DM-JGCT 비교
다음의 상세 나란히 비교: K3KLELE0DM-BGCU 제조: Samsung Electronics 및 K3KL9L90DM-JGCT 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K3KLELE0DM-BGCU | K3KL9L90DM-JGCT |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 수명 종료 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.00 | $65.18 |
| Density | 144 Gb | 16 Gbit |
| 메모리 유형 | LPDDR5X SDRAM | LPDDR5X SDRAM |
| 메모리 구성 | x64 | [DATA_NEEDED: x organization] |
| 데이터 속도 | 8533 Mbps | [DATA_NEEDED: data rate for JGCT speed grade] |
| Supply Voltage (VDD1) | 1.8 V | — |
| Supply Voltage (VDD2) | 1.05 V | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 0.9 V | — |
| Supply Voltage (VDDCA) | 0.5 V | — |
| 패키지 | 496-ball FBGA | FBGA-315 |
| 동작 온도 | -25 C to +85 C | -25C to +85C |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Application Class | AI and in-vehicle devices | — |
| Product Status | EOL | — |
| 인터페이스 | LPDDR5X | [DATA_NEEDED: channel configuration] |
| Power Efficiency vs Previous Generation | Approx. 25% better (per Samsung) | — |
| Speed vs Previous Generation | Approx. 1.25x faster (per Samsung) | — |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Supply Voltage (VDD) | — | [DATA_NEEDED: core supply voltage] |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | [DATA_NEEDED: I/O supply voltage] |
| Bank Architecture | — | [DATA_NEEDED: bank/group configuration] |
| MSL 레벨 | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Package Dimensions | — | [DATA_NEEDED: body dimensions] |
| AEC-Q100 | — | [DATA_NEEDED: automotive qualification status] |