K4A8G165WB-BCWE vs MT40A512M16LY-075:E 비교
다음의 상세 나란히 비교: K4A8G165WB-BCWE 제조: Samsung Electronics 및 MT40A512M16LY-075:E 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K4A8G165WB-BCWE | MT40A512M16LY-075:E |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $6.55 | $5.80 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| 메모리 구성 | 512M x 16 | — |
| 데이터 속도 | 3200 Mbps | 2666 MT/s |
| 공급 전압 | 1.2 V | — |
| Access Time (CAS Latency) | 19 ns | — |
| 인터페이스 | Parallel | Parallel |
| 패키지 | 96FBGA | 96-FBGA (7.5x13.5mm) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 | 0C to +85C | — |
| Burst Length | 8 | — |
| Bank Group Architecture | Yes | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes, dynamic ODT with ZQ calibration | — |
| Functions | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, data mask | — |
| RoHS 상태 | Compliant | — |
| Lead Free | Yes | — |
| 메모리 크기 | — | 8 Gbit (512M x 16) |
| Clock Frequency | — | 1.33 GHz |
| CAS 레이턴시 | — | 19 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.2V ±60mV |
| VPP Supply | — | 2.5V (-125mV, +250mV) |
| 동작 온도 범위 | — | 0°C to +95°C |
| Refresh Time | — | 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C |
| Internal Banks (x16) | — | 8 banks (4 groups of 2) |
| I/O Type | — | 1.2V pseudo open-drain |
| RoHS | — | Compliant |