K6X4008C1F-MF55000 vs K6X4008C1F-MF55 비교
다음의 상세 나란히 비교: K6X4008C1F-MF55000 제조: Samsung Electronics 및 K6X4008C1F-MF55 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Samsung Electronics
K6X4008C1F-MF55000 - 512Kx8 5V Async SRAM, 55ns | Samsung
K6X4008C1F-MF55000 ✗ 단종
사양 비교
| 파라미터 | K6X4008C1F-MF55000 | K6X4008C1F-MF55 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 수명 종료 | 수명 종료 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $6.45 | $2.70 |
| 메모리 유형 | Asynchronous SRAM | SRAM - Asynchronous |
| 메모리 크기 | 4 Mbit | 4 Mbit |
| 메모리 구성 | 512K x 8 | 512K x 8 bit |
| 공급 전압 | 5 V | 5 V |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| 인터페이스 | Parallel | Parallel |
| Technology | Full CMOS | Full CMOS |
| 패키지 | 32-TSOP (reverse orientation, MF) | TSOP2-32 (0.400 inch, REVERSE) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Data Retention | Low data retention voltage supported (battery backup) | Supported, low data retention voltage/current for battery backup |
| Control Signals | CE, OE, WE | CE, OE, WE |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | [DATA_NEEDED: standby current] |
| Operating Current | [DATA_NEEDED: operating current] | — |
| I/O Type | TTL-compatible, 3-state | — |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Density Class | Parallel SRAM, 4Mbit class | — |
| Address Lines | — | 19 (A0-A18) |
| Data Lines | — | 8 (I/O1-I/O8) |
| Active Current | — | [DATA_NEEDED: typical active current] |