K9F2808UOC-PCB0 vs MT29F1G08ABAEAWP-IT:E 비교
다음의 상세 나란히 비교: K9F2808UOC-PCB0 제조: Samsung Electronics 및 MT29F1G08ABAEAWP-IT:E 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K9F2808UOC-PCB0 | MT29F1G08ABAEAWP-IT:E |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | NRND | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $1.68 | $1.60 |
| 메모리 유형 | NAND Flash (SLC, Small-Page) | — |
| Memory Density | 128 Mbit (16M x 8) | — |
| 메모리 구성 | 16M x 8 bit | 128M x 8 |
| Operating Voltage (VCC) | 2.7 V to 3.6 V | — |
| Read Access Time | 50 ns | — |
| Page Size | 528 bytes (512 main + 16 spare) | 2048 bytes + 64 bytes spare |
| Block Size | 16 pages (16 KiB + 256 spare bytes) | 128 KB |
| Package Options | 48-TSOP I, 48-WSOP1, 63-TBGA | — |
| I/O Bus Width | x8 | — |
| 동작 온도 | Commercial / Industrial (C, I grade) | -40C to +85C |
| Command Set | Standard NAND (00h/01h/10h/30h/60h/D0h/50h) | — |
| Status Output | R/B# open-drain ready/busy | — |
| Technology Node | Samsung 2nd-generation SLC NAND | — |
| Cell Type | Single-Level Cell (SLC) | — |
| Programming Model | Page program, block erase | — |
| Lead-Free / RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status from Samsung datasheet] | — |
| 메모리 크기 | — | 1 Gbit (128 MB) |
| 인터페이스 | — | Parallel |
| 공급 전압 | — | 3.3 V |
| Access Time | — | 25 ns |
| Program Time | — | 200 us (typical) |
| Erase Time | — | 2 ms (typical) |
| Endurance | — | 100K program/erase cycles |
| Data Retention | — | 10 years |
| 패키지 | — | TSOP-48 |
| 실장 유형 | — | Surface Mount |
| RoHS 상태 | — | Compliant |