M25P80-VMN3PB vs N25Q032A13EF4A0F 비교
다음의 상세 나란히 비교: M25P80-VMN3PB 제조: Micron Technology 및 N25Q032A13EF4A0F 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | M25P80-VMN3PB | N25Q032A13EF4A0F |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Micron Technology |
| 카테고리 | EEPROM | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 수명 종료 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.75 | $1.25 |
| 메모리 유형 | FLASH - NOR Memory IC | FLASH - NOR Memory IC (Serial) |
| 메모리 크기 | 8 Mbit (1M x 8) | 32 Mbit (4 MB) |
| 인터페이스 | SPI | SPI (Multi-I/O) |
| 최대 클록 주파수 | 75 MHz | — |
| 공급 전압 | 2.7 V to 3.6 V | 3 V (2.7 V to 3.6 V) |
| Page Program Time | 0.64 ms typ (up to 256 bytes) | — |
| 메모리 구성 | 1M x 8 bit | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 패키지 | 8-SO (SOIC-8) | 8-UFDFPN (MLP8) 4 x 3 mm |
| Erase Capability | Sector erase and bulk erase | — |
| Write Protect | Hardware write protect (W pin) | — |
| Hold Function | Yes (HOLD pin) | — |
| Access Time | 8 ns | [DATA_NEEDED: access time] |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: temperature range] |
| Program/Erase Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] | — |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Clock Frequency | — | 108 MHz |
| Read Modes | — | Standard, Dual, Quad SPI |
| Erase Granularity | — | 4 KB subsector / 64 KB sector |
| Grade | — | Automotive |
| Write Cycle Endurance | — | [DATA_NEEDED: endurance cycles] |
| Data Retention | — | [DATA_NEEDED: retention years] |
| Program/Erase Speed | — | [DATA_NEEDED: page program time] |
| Packaging | — | Tape & Reel (T&R) |