M29F160FB55N3F2 vs M29W160ET70N3E 비교
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Micron Technology
M29W160ET70N3E - 16Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns TSOP48 | Micron
M29W160ET70N3E ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | M29F160FB55N3F2 | M29W160ET70N3E |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | Obsolete | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $5.60 | $4.50 |
| 메모리 유형 | Parallel NOR Flash | NOR Flash (Parallel) |
| Density | 16777 kbits (16 Mbit) | — |
| 메모리 구성 | 1 Mword x 16 bits / 2 Mbyte x 8 bits | 2M x 8 / 1M x 16 |
| Number of Words | 1000 k | — |
| Bits per Word | 16 bits | — |
| Access Time | 55 ns | 70 ns |
| 공급 전압 | 5 V | 3 V / 3.3 V (nominal) |
| Boot Block Architecture | Bottom Boot Block | — |
| 동작 온도 | -40 to +125 C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| 인터페이스 | Parallel | Parallel |
| Package Type | 48-TSOP | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Termination Finish | Lead-free (F2 suffix) | — |
| Program/Erase Controller | Embedded byte/word program algorithms | — |
| Block Protection | Hardware boot block protection | — |
| RoHS 상태 | Compliant (lead-free) | Compliant (E suffix) |
| Speed Grade (from MPN) | 55 (55 ns) | — |
| 메모리 크기 | — | 16 Mbit |
| Boot Block Location | — | Top boot |
| 패키지 | — | 48-TSOP |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q100 qualified |
| Bus Width Selection | — | BYTE# pin, x8 or x16 |
| Sector Protection | — | Hardware boot block protection |
| Programming Type | — | Automatic program and erase |
| Packing | — | Tray (RoHS-compliant package, standard packing) |
| Endurance | — | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] |
| Data Retention | — | [DATA_NEEDED: data retention] |