M29F160FT55N3E2 vs M29F160FB55N3F2 비교

다음의 상세 나란히 비교: M29F160FT55N3E2 제조: Micron Technology 및 M29F160FB55N3F2 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Micron Technology
M29F160FT55N3E2 M29F160FT55N3E2 - 16Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron | TSOP-48

M29F160FT55N3E2 - 16Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron | TSOP-48

M29F160FT55N3E2 ✓ 활성
Micron Technology
M29F160FB55N3F2 M29F160FB55N3F2 - 16Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F160FB55N3F2 - 16Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F160FB55N3F2 Obsolete

사양 비교

파라미터 M29F160FT55N3E2 M29F160FB55N3F2
브랜드 Micron Technology Micron Technology
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 Obsolete
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.00 $5.60
메모리 유형 NOR Flash Parallel NOR Flash
Memory Organization 16 Mbit (1 M x 16 / 2 M x 8) —
Density 16777 kbits 16777 kbits (16 Mbit)
Number of Words 1000 k 1000 k
Bits per Word 16 bits 16 bits
Access Time 55 ns 55 ns
공급 전압 5 V 5 V
인터페이스 Parallel Parallel
Boot Block Top Boot Block —
동작 온도 -40C to +125C -40 to +125 C
Temperature Grade Automotive Grade 3 —
패키지 48-TSOP I —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Bus Width 8-bit / 16-bit selectable (BYTE# pin) —
Program/Erase Embedded program/erase controller (byte/word algorithms) —
Factory Erase State All bits erased to 1 —
RoHS 상태 Compliant (E suffix) Compliant (lead-free)
메모리 구성 — 1 Mword x 16 bits / 2 Mbyte x 8 bits
Boot Block Architecture — Bottom Boot Block
Package Type — 48-TSOP
Termination Finish — Lead-free (F2 suffix)
Program/Erase Controller — Embedded byte/word program algorithms
Block Protection — Hardware boot block protection
Speed Grade (from MPN) — 55 (55 ns)

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