M29F200FB55N3F2 vs M29F200FT55M3E2 비교
다음의 상세 나란히 비교: M29F200FB55N3F2 제조: Micron Technology 및 M29F200FT55M3E2 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | M29F200FB55N3F2 | M29F200FT55M3E2 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 수명 종료 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $4.20 | $3.83 |
| 메모리 유형 | Parallel NOR Flash | NOR Flash (Parallel) |
| Density | 2 Mbit (2097 kbits) | — |
| 메모리 구성 | 256K x 8 bit / 128K x 16 bit | 128K x 16 bits |
| Number of Words | 128 K (x16 mode) | — |
| Bits per Word | 16 bits | — |
| Supply Voltage (VCC) | 5 V | 5 V |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Boot Block Architecture | Bottom Boot Block (FB) | Top Boot Block |
| Programming | Embedded byte/word program algorithm | — |
| Erase | Embedded block erase controller | — |
| 동작 온도 | -40C to +125C | -40C to +125C |
| 패키지 | 48-TSOP I | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tape & Reel (TR) | — |
| 인터페이스 | Parallel | Parallel |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] | unknown |
| Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] | — |
| 메모리 크기 | — | 2 Mbit (2097 kbits) |
| Program / Erase Controller | — | Embedded byte/word program algorithms |
| Package Type | — | 44-SO (SOP-44) |
| Memory Cell Type | — | SLC (Single-Level Cell) |
| Erase Block Structure | — | Boot block sector architecture |
| Programming Mode | — | Byte / Word |
| Status Signaling | — | Data polling / toggle bit |
| 수명 주기 상태 | — | End of Life (EOL) - last-time-buy / broker market |