M29F400FT55N3E2 vs M29W400FB55N3E 비교
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Micron Technology
M29W400FB55N3E - 4Mb NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron Technology
M29W400FB55N3E ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | M29F400FT55N3E2 | M29W400FB55N3E |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | EEPROM |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $4.15 | $0.00 |
| 메모리 유형 | NOR Flash (Parallel) | NOR Flash (parallel) |
| Density | 4 Mbit (512K x 8) | 4 Mbit (4194 kbits) |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| 공급 전압 | 5 V (single supply) | — |
| 인터페이스 | Parallel | Parallel, 8-bit/16-bit (BYTE# selectable) |
| Boot Block Architecture | Top boot (FT variant) | — |
| 패키지 | 44-SO (SOP-44) | 48-TSOP I, 12 x 20 mm |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Programming Supply | No 12 V VPP required (5.0 V programming) | — |
| Command Set | JEDEC standard compatible | — |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | -40C to +125C |
| Program/Erase Endurance | [DATA_NEEDED: Program/Erase Cycles] | — |
| Data Retention | [DATA_NEEDED: Data Retention] | — |
| Active Read Current | [DATA_NEEDED: Active Current] | — |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: Standby Current] | — |
| Block Protection | Hardware block protection | — |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: Moisture Sensitivity Level] | — |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | Compliant |
| 메모리 구성 | — | 512K x 8 bit / 256K x 16 bit |
| Supply Voltage (VCC) | — | 2.7 V to 3.6 V |
| Block Architecture | — | 19 memory blocks, 1 boot block (bottom, FB) |
| Programming Time | — | 10 us per byte/word typical |
| Boot Block Hardware Protection | — | Yes |
| Pins | — | 48 |
| Packaging | — | Tray |
| Speed Grades in Family | — | 55 ns, 70 ns |