M29F400FT55N3F2 vs M29F800FT55N3F2 비교
다음의 상세 나란히 비교: M29F400FT55N3F2 제조: Micron Technology 및 M29F800FT55N3F2 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | M29F400FT55N3F2 | M29F800FT55N3F2 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Micron Technology |
| 카테고리 | EEPROM | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $1.51 | $0.78 |
| 메모리 유형 | NOR Flash (SLC) | NOR Flash, Parallel |
| 메모리 크기 | 4 Mbit | 8 Mbit |
| 메모리 구성 | 256K x 16 | 1M x 8 bit / 512K x 16 bit |
| 인터페이스 | Parallel | Parallel |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| 공급 전압 | 5 V | 5 V (single supply) |
| Block Architecture | Top boot block | — |
| 패키지 | 44-SO (SOP-44) | 48-pin TSOP |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperature Grade | Auto Grade 3, up to +125C (per Micron ordering code) | — |
| Compliance Suffix | F2 (RoHS-compliant, lead-free plating) | — |
| Programming Voltage | Single supply (no 12 V VPP required) | 5.0 V VCC (no 12 V VPP required) |
| Technology | Floating-gate NOR cell, charge-pump program/erase | — |
| Max Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | — |
| Program/Erase Endurance | [DATA_NEEDED: endurance cycles] | — |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: min operating temperature] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Boot Block Architecture | — | Top boot block (T) |
| Packaging | — | Tape & Reel (T/R) |
| Erase Block Size | — | [DATA_NEEDED: block size] |
| Data Retention | — | [DATA_NEEDED: data retention] |
| Program/Erase Cycles | — | [DATA_NEEDED: endurance cycles] |
| RoHS 상태 | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Active Read Current | — | [DATA_NEEDED: ICC read] |