M29F800FB55N3E2 vs M29F800FB55N3F2 비교
다음의 상세 나란히 비교: M29F800FB55N3E2 제조: Micron Technology 및 M29F800FB55N3F2 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | M29F800FB55N3E2 | M29F800FB55N3F2 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Micron Technology |
| 카테고리 | EEPROM | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $3.83 | $2.47 |
| 메모리 크기 | 8 Mbit (1 M x 8 / 512 K x 16) | — |
| 메모리 유형 | NOR Flash, SLC, Parallel | — |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Supply Voltage Min | 4.5 V | — |
| Supply Voltage Max | 5.5 V | — |
| 인터페이스 | Parallel | — |
| 메모리 구성 | Bottom boot (B suffix) | 1M x 8 / 512K x 16 |
| 데이터 버스 폭 | 8-bit or 16-bit (BYTE# selectable) | — |
| 패키지 | 48-pin TSOP Type I (N suffix) | — |
| 실장 유형 | Surface Mount (SMD/SMT) | Surface Mount |
| 동작 온도 | Up to +125 C (Auto Grade 3 suffix) | -40C to +125C |
| Packing | Tray (blank suffix) | — |
| RoHS 상태 | Compliant (E suffix) | Compliant (lead-free terminations) |
| Programming Operations | READ, ERASE, PROGRAM via command set | — |
| Write Protection | Block protection with lockable boot block | — |
| Status Output | RB# (Ready/Busy) | — |
| Memory Density | — | 8389 kbits (8 Mbit) |
| 공급 전압 | — | 5 V |
| 인터페이스 유형 | — | Parallel NOR |
| Boot Block Architecture | — | Bottom Boot Block |
| Program/Erase Controller | — | Embedded byte/word program algorithms |
| Temperature Grade | — | Automotive (AEC-Q100) |
| Package Type | — | 48-pin TSOP1 |
| Package Shape | — | Rectangular (JESD designation TSOP1) |
| Terminal Count | — | 48 |
| JESD-609 Termination Code | — | e3 (lead-free) |
| Packaging | — | Tape & Reel (T/R) |