M29W064FB70N3F vs M29W064FB70N3E 비교

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Micron Technology
M29W064FB70N3F M29W064FB70N3F - 64Mb NOR Flash 70ns AEC-Q100 | Micron Technology

M29W064FB70N3F - 64Mb NOR Flash 70ns AEC-Q100 | Micron Technology

M29W064FB70N3F Obsolete
Micron Technology
M29W064FB70N3E M29W064FB70N3E - 64Mbit 3V NOR Flash 70ns TSOP-48 | Micron

M29W064FB70N3E - 64Mbit 3V NOR Flash 70ns TSOP-48 | Micron

M29W064FB70N3E ✓ 활성

사양 비교

파라미터 M29W064FB70N3F M29W064FB70N3E
브랜드 Micron Technology Micron Technology
카테고리 Memory ICs Flash
수명 주기 상태 Obsolete 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $1.20 $0.00
메모리 유형 NOR Flash, Parallel NOR Flash, Parallel
Density 64 Mbit —
메모리 구성 8M x8 / 4M x16 —
공급 전압 2.7 V to 3.6 V 3.0 V to 3.6 V (3V/3.3V)
Access Time 70 ns 70 ns
인터페이스 Parallel, x8/x16 selectable (BYTE#) Parallel, CFI compliant
Boot Block Configuration Bottom boot block (FB) —
동작 온도 -40C to +125C -40C to +125C
Automotive Qualification AEC-Q100 qualified —
패키지 48-TSOP 48-Pin TSOP
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR suffix) Tray
Status Polling RY/BY# hardware pin + data polling —
Erase/Program Interface Command set (M29W family compatible) —
RoHS 상태 Compliant (F suffix) Compliant
Part Status Obsolete —
메모리 크기 — 64 Mbit (8M x 8 / 4M x 16)
Boot Block — Bottom boot block (FB variant)
Organization Switching — Byte/Word selectable via BYTE# pin
Reset/Power-Down — RP# pin
Data Protection — Block protection, WP# hardware protection
Device Signature — Electronic signature for device identification
Brand Source — Micron Technology / Alliance Memory, Inc. (second source)
Erase/Program Mode — Word/byte program, block erase, chip erase

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