M29W160EB70N3E vs M29W160ET70N3E 비교

다음의 상세 나란히 비교: M29W160EB70N3E 제조: Micron Technology 및 M29W160ET70N3E 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Micron Technology
M29W160EB70N3E M29W160EB70N3E - 16Mbit NOR Flash 70ns 48-TSOP | Micron

M29W160EB70N3E - 16Mbit NOR Flash 70ns 48-TSOP | Micron

M29W160EB70N3E ✓ 활성
Micron Technology
M29W160ET70N3E M29W160ET70N3E - 16Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns TSOP48 | Micron

M29W160ET70N3E - 16Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns TSOP48 | Micron

M29W160ET70N3E ✓ 활성

사양 비교

파라미터 M29W160EB70N3E M29W160ET70N3E
브랜드 Micron Technology Micron Technology
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $1.76 $4.50
메모리 유형 FLASH - NOR NOR Flash (Parallel)
메모리 크기 16 Mbit (2M x8, 1M x16) 16 Mbit
메모리 구성 2M x8 / 1M x16 2M x 8 / 1M x 16
Access Time 70 ns 70 ns
인터페이스 Parallel Parallel
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V —
Programming Time 10 us (typical) —
Cell Type SLC NOR —
동작 온도 -40C to +125C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
패키지 / 케이스 48-TFSOP (0.724 in, 18.40 mm width) —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Packaging Tray —
Speed Grade -70 —
FBGA Code N/A (TSOP package) —
RoHS 상태 [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant (E suffix)
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
공급 전압 — 3 V / 3.3 V (nominal)
Boot Block Location — Top boot
패키지 — 48-TSOP
Automotive Qualification — AEC-Q100 qualified
Bus Width Selection — BYTE# pin, x8 or x16
Sector Protection — Hardware boot block protection
Programming Type — Automatic program and erase
Packing — Tray (RoHS-compliant package, standard packing)
Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase cycles]
Data Retention — [DATA_NEEDED: data retention]

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