M29W160EB70N3F vs M29W160ET70N3E 비교
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Micron Technology
M29W160ET70N3E - 16Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns TSOP48 | Micron
M29W160ET70N3E ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | M29W160EB70N3F | M29W160ET70N3E |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $1.01 | $4.50 |
| 메모리 유형 | FLASH - NOR | NOR Flash (Parallel) |
| 메모리 크기 | 16 Mbit (2M x8 / 1M x16) | 16 Mbit |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| 인터페이스 | Parallel (Byte/Word-wide) | Parallel |
| Supply Voltage (VCC) | 2.7 V to 3.6 V | — |
| Programming Time | 10 us per byte/word (typical) | — |
| Boot Block Position | Bottom boot block | — |
| Bus Configuration | x8 / x16 selectable (BYTE# pin) | — |
| 패키지 / 케이스 | 48-TSOP (0.724 in, 18.40 mm width) | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tape & Reel | — |
| Qualification | Automotive, AEC-Q100 | — |
| Erase Architecture | Block erase (boot block + main blocks) | — |
| Common Flash Interface | Yes (CFI compliant) | — |
| Reset Input | RESET# hardware reset pin | — |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| 메모리 구성 | — | 2M x 8 / 1M x 16 |
| 공급 전압 | — | 3 V / 3.3 V (nominal) |
| Boot Block Location | — | Top boot |
| 패키지 | — | 48-TSOP |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q100 qualified |
| Bus Width Selection | — | BYTE# pin, x8 or x16 |
| Sector Protection | — | Hardware boot block protection |
| Programming Type | — | Automatic program and erase |
| Packing | — | Tray (RoHS-compliant package, standard packing) |
| RoHS 상태 | — | Compliant (E suffix) |
| Endurance | — | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] |
| Data Retention | — | [DATA_NEEDED: data retention] |