M29W160ET70N3F vs M29W160FB70N3E 비교

다음의 상세 나란히 비교: M29W160ET70N3F 제조: Micron Technology 및 M29W160FB70N3E 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Micron Technology
M29W160ET70N3F M29W160ET70N3F - 16Mb 70ns AEC-Q100 NOR Flash | Micron

M29W160ET70N3F - 16Mb 70ns AEC-Q100 NOR Flash | Micron

M29W160ET70N3F ✓ 활성
Micron Technology
M29W160FB70N3E M29W160FB70N3E - 16Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W160FB70N3E - 16Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W160FB70N3E ✓ 활성

사양 비교

파라미터 M29W160ET70N3F M29W160FB70N3E
브랜드 Micron Technology Micron Technology
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $2.80 $3.58
메모리 유형 Parallel NOR Flash FLASH - NOR
메모리 크기 16 Mbit (2 M x 8 / 1 M x 16) 16 Mbit (2M x8 / 1M x16)
Access Time 70 ns 70 ns
공급 전압 3 V / 3.3 V —
Technology CMOS —
Boot Block Architecture Top boot —
Bus Configuration x8 / x16 selectable x8 / x16 selectable (BYTE# pin)
패키지 48-pin TSOP —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Temperature Grade Automotive (AEC-Q100) —
Qualification AEC-Q100 qualified —
Packaging Tape and Reel Tray
RoHS 상태 RoHS-compliant package (F option) —
Programming Interface Parallel command set —
Number of Terminals 48 —
인터페이스 — Parallel
Supply Voltage (VCC) — 3.0 V to 3.6 V
Programming Voltage — Single supply (no separate VPP required)
Architecture — Boot block
패키지 / 케이스 — 48-TFSOP (0.724 in, 18.40 mm width)
동작 온도 — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Program/Erase Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase cycles]
Data Retention — [DATA_NEEDED: data retention]
Status Output — Data polling / toggle bit
Block Protection — Yes (boot block protection)

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