M29W320DB70N3E vs M29W640GB70N3E 비교
다음의 상세 나란히 비교: M29W320DB70N3E 제조: Micron Technology 및 M29W640GB70N3E 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | M29W320DB70N3E | M29W640GB70N3E |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Micron Technology |
| 카테고리 | Flash | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $1.95 | $7.05 |
| 메모리 유형 | NOR Flash | NOR Flash |
| Density | 32 Mbit (33554 kbits) | 64 Mbit (8 MByte) |
| 메모리 구성 | 2M x 16 | 4M x16 / 8M x8 |
| Number of Words | 2000 k | — |
| Bits per Word | 16 bits | — |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| Supply Voltage (VCC) | 2.7 V to 3.6 V | — |
| VPP Fast Program Voltage | 12 V (optional) | — |
| 인터페이스 | Parallel | Parallel, asynchronous |
| Block Architecture | Non-uniform parameter blocks, boot block (bottom boot, DB type) | — |
| 동작 온도 | -40C to +125C | -40C to +125C |
| 패키지 | 48-TSOP I | 48-TSOP I |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS 상태 | ROHS3 Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Programming Mode | Single VCC program/erase; automatic program/erase with status polling | — |
| Power-Up Mode | Read mode (default) | — |
| 공급 전압 | — | 2.7 V to 3.6 V |
| Boot Block | — | Bottom boot block (GB) |
| Programming | — | Word/Byte program, block erase |
| Command Set | — | M29W family standard command set |
| Chipset Validation | — | N/A |
| FBGA Code | — | N/A |
| Data Retention | — | [DATA_NEEDED: data retention] |
| Endurance | — | [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] |