M29W320DB70N3F vs M29W320DB70N3E 비교

다음의 상세 나란히 비교: M29W320DB70N3F 제조: Micron Technology 및 M29W320DB70N3E 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Micron Technology
M29W320DB70N3F M29W320DB70N3F - 32Mbit NOR Flash 70ns TSOP-48 | Micron

M29W320DB70N3F - 32Mbit NOR Flash 70ns TSOP-48 | Micron

M29W320DB70N3F ✓ 활성
Micron Technology
M29W320DB70N3E M29W320DB70N3E - 32Mbit 70ns NOR Flash 48-TSOP | Micron

M29W320DB70N3E - 32Mbit 70ns NOR Flash 48-TSOP | Micron

M29W320DB70N3E ✓ 활성

사양 비교

파라미터 M29W320DB70N3F M29W320DB70N3E
브랜드 Micron Technology Micron Technology
카테고리 Flash Flash
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $1.30 $1.95
메모리 유형 NOR Flash NOR Flash
Technology Parallel NOR Flash —
Density 32 Mbit (33554 kbits) 32 Mbit (33554 kbits)
메모리 구성 2 M x 16 2M x 16
Bus Width x8/x16 selectable —
Access Time 70 ns 70 ns
Supply Voltage (VCC) 3.0 V to 3.6 V 2.7 V to 3.6 V
VPP Fast Program Voltage 12 V 12 V (optional)
Block Organization Non-uniform parameter blocks, boot block (DB = bottom boot block) —
동작 온도 -40C to +125C -40C to +125C
패키지 48-TSOP I, 12 x 20 mm 48-TSOP I
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
인터페이스 Parallel Parallel
RoHS 상태 Compliant ROHS3 Compliant
Packaging Variant (TR) Tape & Reel available (M29W320DB70N3F TR) —
Number of Words — 2000 k
Bits per Word — 16 bits
Block Architecture — Non-uniform parameter blocks, boot block (bottom boot, DB type)
Programming Mode — Single VCC program/erase; automatic program/erase with status polling
Power-Up Mode — Read mode (default)

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