M29W320DT70N3F vs M29W064FB70N3F 비교

다음의 상세 나란히 비교: M29W320DT70N3F 제조: Micron Technology 및 M29W064FB70N3F 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Micron Technology
M29W320DT70N3F M29W320DT70N3F - 32Mbit NOR Flash 70ns TSOP-48 | Micron

M29W320DT70N3F - 32Mbit NOR Flash 70ns TSOP-48 | Micron

M29W320DT70N3F ✓ 활성
Micron Technology
M29W064FB70N3F M29W064FB70N3F - 64Mb NOR Flash 70ns AEC-Q100 | Micron Technology

M29W064FB70N3F - 64Mb NOR Flash 70ns AEC-Q100 | Micron Technology

M29W064FB70N3F Obsolete

사양 비교

파라미터 M29W320DT70N3F M29W064FB70N3F
브랜드 Micron Technology Micron Technology
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 Obsolete
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $2.95 $1.20
메모리 유형 FLASH - NOR NOR Flash, Parallel
메모리 크기 32 Mbit (4M x 8, 2M x 16) —
Access Speed 70 ns —
인터페이스 Parallel (Byte-wide) Parallel, x8/x16 selectable (BYTE#)
Supply Voltage - VCC 2.7 V to 3.6 V —
VPP Fast Program Voltage 12 V (optional) —
Boot Block Organization Top boot block (DT suffix) —
Block Architecture Non-uniform parameter blocks —
패키지 / 케이스 48-TFSOP (0.724 in, 18.40 mm width) —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR suffix) Tape & Reel (TR suffix)
Temperature Grade Automotive —
Max Seated Height 1.2 mm —
Number of Terminals 48 —
동작 온도 범위 [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Write Cycle - Page Program Time [DATA_NEEDED: page program time] —
Density — 64 Mbit
메모리 구성 — 8M x8 / 4M x16
공급 전압 — 2.7 V to 3.6 V
Access Time — 70 ns
Boot Block Configuration — Bottom boot block (FB)
동작 온도 — -40C to +125C
Automotive Qualification — AEC-Q100 qualified
패키지 — 48-TSOP
Status Polling — RY/BY# hardware pin + data polling
Erase/Program Interface — Command set (M29W family compatible)
RoHS 상태 — Compliant (F suffix)
Part Status — Obsolete

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