M29W800FB70ZA3SE vs M29W800FB70N3E 비교
다음의 상세 나란히 비교: M29W800FB70ZA3SE 제조: Micron Technology 및 M29W800FB70N3E 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Micron Technology
M29W800FB70ZA3SE - 8Mbit NOR Flash 70ns 48-TFBGA | Micron
M29W800FB70ZA3SE Obsolete
사양 비교
| 파라미터 | M29W800FB70ZA3SE | M29W800FB70N3E |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | Obsolete | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $1.12 | $0.95 |
| 메모리 유형 | NOR Flash, Parallel | NOR Flash |
| 메모리 크기 | 8 Mbit | — |
| 메모리 구성 | 1 M x 8 / 512 K x 16 | 512K x 16 / 1M x 8 |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| 공급 전압 | 3 V / 3.3 V (2.7 V to 3.6 V class) | — |
| Technology | SLC NOR | — |
| Boot Block Architecture | Bottom boot block (FB) | — |
| 인터페이스 | Parallel, address/data bus | Parallel |
| 패키지 | 48-TFBGA (6 x 8 mm) | 48-TSOP (12 x 20 mm), TSOP I |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | AEC-Q100 automotive | — |
| Packaging | Tray | — |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40C to +125C |
| Program/Erase Endurance | [DATA_NEEDED: endurance cycles] | — |
| Active Read Current | [DATA_NEEDED: ICC read] | — |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: ICC standby] | — |
| Moisture Sensitivity Level | [DATA_NEEDED: MSL] | — |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS status] | RoHS compliant (plastic TSOP-48) |
| Density | — | 8 Mbit (8388608 bits) |
| 데이터 버스 폭 | — | x8/x16 (BYTE# selectable) |
| Supply Voltage (VCC) | — | up to 3.6 V for program, erase and read |
| Programming Time | — | 10 us per byte/word (typical) |
| Memory Blocks | — | 19 blocks, 1 boot block (bottom - FB configuration) |
| 핀 수 | — | 48 |
| Product Longevity Program | — | No |
| FBGA Code | — | N/A |
| Chipset Validation | — | N/A |