MRFE6S9200HR3 vs MRF6S19200HR5 비교
다음의 상세 나란히 비교: MRFE6S9200HR3 제조: NXP Semiconductors 및 MRF6S19200HR5 제조: NXP Semiconductors. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | MRFE6S9200HR3 | MRF6S19200HR5 |
|---|---|---|
| 브랜드 | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $52.30 | $89.75 |
| 트랜지스터 유형 | N-Channel LDMOS (RF Power) | LDMOS |
| Technology | Enhancement-mode LDMOS (HV6E) | RF Power MOSFET |
| Frequency | 880 MHz (test), broadband up to 1000 MHz | — |
| Drain-Source Voltage (Vdss) Rated | 66 V | — |
| Test Supply Voltage | 28 V | — |
| Test Quiescent Current | 1.4 A | — |
| Output Power (Avg) | 58 W (W-CDMA) | — |
| Power Gain | 21 dB at 880 MHz | — |
| 패키지 | NI-880H-2L ceramic air-cavity | NI-780H-2L (ceramic flange) |
| 실장 유형 | Chassis / flange mount, SMD variant 5.08 mm height | Flange / Screw Mount |
| Lead Free Status | Lead Free (per datasheet) | Yes |
| Input Capacitance (Ciss) | 557.27 pF at 28 V | — |
| Operating Mode | Class AB, Class C, Doherty | Class AB, Class C |
| Target Application | W-CDMA base-station final stage | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Drain-Source Voltage (Vds) Max | — | 66 V |
| Test Voltage (Vds) | — | 28 V |
| Test Current (Ids) | — | 1.6 A |
| Frequency Range | — | 1.93 GHz to 1.99 GHz |
| Power Gain (Typ) | — | 17.9 dB |
| Output Power (Pout) | — | 56 W (CW) |
| Application | — | CDMA base station, multicarrier amplifiers |
| Input Matching | — | Internal (broadband) |