MT25QL128ABB8ESF-0AUT vs MT25QL01GBBB8E12-0AUT 비교
다음의 상세 나란히 비교: MT25QL128ABB8ESF-0AUT 제조: Micron Technology 및 MT25QL01GBBB8E12-0AUT 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Micron Technology
MT25QL128ABB8ESF-0AUT - 128Mb SPI NOR Flash 133MHz | Micron
MT25QL128ABB8ESF-0AUT ✓ 활성Micron Technology
MT25QL01GBBB8E12-0AUT - 1Gb SPI NOR Flash 133MHz | Micron
MT25QL01GBBB8E12-0AUT ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | MT25QL128ABB8ESF-0AUT | MT25QL01GBBB8E12-0AUT |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | EEPROM |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $4.02 | $4.65 |
| 메모리 유형 | NOR Flash - Serial (SPI/Dual/Quad SPI) | NOR Flash - Serial SPI |
| Density | 128 Mbit (16 MB) | 1 Gbit (128 MB) |
| Supply Voltage (VCC) | 3 V (2.7 V to 3.6 V) | — |
| 최대 클록 주파수 | 133 MHz | — |
| 인터페이스 | SPI - Quad I/O (SPI, Dual SPI, Quad SPI) | SPI - Single/Dual/Quad I/O |
| 패키지 | 16-SOP2 (16-pin SOIC) | 24-T-PBGA (6x8 mm) |
| 동작 온도 | -40C to +125C | -40C to +125C |
| Grade | Automotive (AEC-Q100) | — |
| FBGA Die Code | RW311 | — |
| 메모리 구성 | 128M x 1 / 64M x 2 / 32M x 4 bit | 256M x4 (DDP) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount (BGA reflow) |
| Product Longevity Program | No | — |
| Protocol Family | MT25Q (ESF standard SPI instruction set) | — |
| Addressing | 3-byte and 4-byte address modes | 3-byte / 4-byte extended address |
| Access Time | 6 ns | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Marking Code | RW311 | — |
| 공급 전압 | — | 2.7 V to 3.6 V (3 V class) |
| Max Clock Frequency | — | 133 MHz |
| Sector Erase Sizes | — | 4 KB / 32 KB / 64 KB |
| FBGA Code | — | RW319 |
| XIP Support | — | Yes (execute-in-place) |
| Write Protection | — | Advanced write protection mechanisms |
| AEC-Q100 | — | Qualified (automotive, -0AUT suffix) |
| SLC Cell Type | — | SLC NOR |