MT25QL128ABB8ESF-0AUT vs MT25QL02GCBB8E12-0AUT 비교
다음의 상세 나란히 비교: MT25QL128ABB8ESF-0AUT 제조: Micron Technology 및 MT25QL02GCBB8E12-0AUT 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Micron Technology
MT25QL128ABB8ESF-0AUT - 128Mb SPI NOR Flash 133MHz | Micron
MT25QL128ABB8ESF-0AUT ✓ 활성Micron Technology
MT25QL02GCBB8E12-0AUT - 2Gbit SPI NOR Flash 133MHz | Micron
MT25QL02GCBB8E12-0AUT ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | MT25QL128ABB8ESF-0AUT | MT25QL02GCBB8E12-0AUT |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Flash |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $4.02 | $7.65 |
| 메모리 유형 | NOR Flash - Serial (SPI/Dual/Quad SPI) | NOR Flash, Serial (SPI) |
| Density | 128 Mbit (16 MB) | — |
| Supply Voltage (VCC) | 3 V (2.7 V to 3.6 V) | — |
| 최대 클록 주파수 | 133 MHz | 133 MHz |
| 인터페이스 | SPI - Quad I/O (SPI, Dual SPI, Quad SPI) | SPI, Dual SPI, Quad I/O |
| 패키지 | 16-SOP2 (16-pin SOIC) | 24-T-PBGA (6x8 mm) |
| 동작 온도 | -40C to +125C | -40C to +125C |
| Grade | Automotive (AEC-Q100) | — |
| FBGA Die Code | RW311 | — |
| 메모리 구성 | 128M x 1 / 64M x 2 / 32M x 4 bit | 256M x 8 |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Product Longevity Program | No | — |
| Protocol Family | MT25Q (ESF standard SPI instruction set) | — |
| Addressing | 3-byte and 4-byte address modes | — |
| Access Time | 6 ns | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Marking Code | RW311 | RW340 |
| Memory Capacity | — | 2 Gbit (256 MB) |
| 공급 전압 | — | 2.7 V to 3.6 V |
| Programming Voltage | — | 3 V |
| Endurance | — | 100000 write/erase cycles |
| Qualification | — | AEC-Q100 (automotive) |
| 특징 | — | XIP, write enable latch, power-on reset, hardware/software write protection, absolute write protection, extended address access |
| Supply Voltage Class | — | 3 V (MT25QL series) |
| Access Protocol Support | — | Standard/Dual-Output/Dual-I/O/Quad-Output/Quad-I/O SPI |