MT25QU01GBBB8E12E-0AUT vs MT25QU02GCBB8E12-0AUT 비교

다음의 상세 나란히 비교: MT25QU01GBBB8E12E-0AUT 제조: Micron Technology 및 MT25QU02GCBB8E12-0AUT 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Micron Technology
MT25QU01GBBB8E12E-0AUT MT25QU01GBBB8E12E-0AUT - 1Gb SPI NOR Flash 133MHz | Micron

MT25QU01GBBB8E12E-0AUT - 1Gb SPI NOR Flash 133MHz | Micron

MT25QU01GBBB8E12E-0AUT ✓ 활성
Micron Technology
MT25QU02GCBB8E12-0AUT MT25QU02GCBB8E12-0AUT - 2Gbit SPI NOR Flash 166MHz | Micron

MT25QU02GCBB8E12-0AUT - 2Gbit SPI NOR Flash 166MHz | Micron

MT25QU02GCBB8E12-0AUT ✓ 활성

사양 비교

파라미터 MT25QU01GBBB8E12E-0AUT MT25QU02GCBB8E12-0AUT
브랜드 Micron Technology Micron Technology
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $3.95 $10.90
메모리 유형 NOR Flash, Serial (SPI) NOR Flash, Serial (SPI / Dual SPI / Quad SPI)
Density 1 Gbit (128 MB) 2 Gbit (256 MB)
메모리 구성 128M x 8 2G x 1 / 1G x 2 / 512M x 4
공급 전압 1.8 V 1.8 V
Max Clock Frequency 133 MHz 166 MHz
인터페이스 SPI, Dual SPI, Quad SPI (x1/x2/x4) SPI - Quad I/O
패키지 24-ball T-PBGA (6 x 8 mm) 24-T-PBGA (6 x 8 mm)
FBGA Code RW320 —
동작 온도 -40C to +125C -40C to +125C
실장 유형 Surface Mount (BGA) Surface Mount (BGA)
Automotive Grade Yes (AUT suffix) —
Product Longevity Program No —
Marking Code RW320 —
Access Type Execute-in-place (XIP) capable —
Program/Erase Architecture Page program with 4 KB subsector / 64 KB sector erase —
RoHS 상태 [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] —
Access Time — 7 ns
Automotive Qualification — AEC-Q100 qualified
XIP (Execute-In-Place) — Yes
Write Protection — Software, hardware, power-on, write-enable latch
Cell Type — SLC NOR
특징 — Extended address access, advanced write protection

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