MT29F1G08ABAEAWP-IT:E vs K9T1G08U0M-PIB0 비교
다음의 상세 나란히 비교: MT29F1G08ABAEAWP-IT:E 제조: Micron Technology 및 K9T1G08U0M-PIB0 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | MT29F1G08ABAEAWP-IT:E | K9T1G08U0M-PIB0 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | NRND |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $1.60 | $1.85 |
| 메모리 크기 | 1 Gbit (128 MB) | — |
| 메모리 구성 | 128M x 8 | 128M x 8 bit |
| 인터페이스 | Parallel | Asynchronous NAND, 8-bit I/O bus |
| 공급 전압 | 3.3 V | — |
| Access Time | 25 ns | — |
| Page Size | 2048 bytes + 64 bytes spare | 2 Kbytes + 64 bytes spare area |
| Block Size | 128 KB | 128 Kbytes (64 pages per block) |
| Program Time | 200 us (typical) | — |
| Erase Time | 2 ms (typical) | — |
| Endurance | 100K program/erase cycles | — |
| Data Retention | 10 years | [DATA_NEEDED: data retention spec] |
| 동작 온도 | -40C to +85C | [DATA_NEEDED: industrial vs commercial grade] |
| 패키지 | TSOP-48 | 48-pin TSOP Type I (WSOP1) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount (TSOP) |
| RoHS 상태 | Compliant | — |
| 메모리 유형 | — | Non-volatile NAND Flash (SLC) |
| Density | — | 1 Gbit (128 MB) |
| Cell Technology | — | SLC (Single-Level Cell) |
| VCC Supply Voltage | — | 2.7 V to 3.6 V |
| Pb-Free (Lead-Free) | — | Yes (PIB0 suffix indicates Pb-free) |
| RoHS Compliance | — | Compliant (Pb-free variant) |
| Endurance (P/E Cycles) | — | [DATA_NEEDED: typical P/E endurance spec] |
| Programming Time per Page | — | [DATA_NEEDED: typical tPROG] |
| Block Erase Time | — | [DATA_NEEDED: typical tBERS] |
| Command Set | — | Standard NAND (ONFI-compatible legacy commands) |